净化工程的温度和湿度主要根据工艺要求确定，但在满足工艺要求的情况下，应考虑人的舒适度。随着空气洁净度要求的升高，工艺对温度和湿度的要求越来越严格。具体工艺对温度的要求以后会列出，但作为一般原则，由于加工精度越来越精细，对温度波动范围的要求也越来越小。例如，在大规模集成电路生产的光刻曝光过程中，玻璃和硅片作为掩膜板材料的热膨胀系数差异越来越小。

硅片直径为100um，温度上升1度，造成0.24um线性膨胀，因此要有±0.1度的恒温，同时要求湿度值一般较低，因为人出汗后，会对产品造成污染，尤其是怕钠的半导净化工程，这种车间温度不能超过25度，湿度过高造成的问题更多。当相对湿度高于55%时，冷却水管壁会结露，如果发生在精密装置或电路中，会造成各种事故。当相对湿度为50%时，容易生锈。另外，当湿度过高时，硅片表面粘附的灰尘会被空气中的水分子化学吸附，难以去除。相对湿度越高，粘附越难去除，但当相对湿度低于30%时，由于静电的作用，颗粒容易吸附在表面，大量半导体器件容易击穿。硅片生产的佳湿度范围为35-45%。

在净化工程的基础建设中，要利用好以上方法，从设计到施工，注重效率和产品质量，在高效的前提下进行优质的工程建设。